Aachen / Hsinchu, 22. Februar 2010 – (AIXTRON AG: FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6; NASDAQ: AIXG, ISIN US0096061041) AIXTRONs neue Anlagen-Generation AIX G5 HT erreicht ausgezeichnete Depositionsraten von über 6 µm/h mit exzellenter GaN/InGaN-Homogenität bei einem Reaktordruck höher 600 mbar, ohne Ausheizen der Beschichtungskammer und ohne Austauschen der Teile. Das taiwanesische Unternehmen Epistar (Hsinchu Science-based Industrial Park) hat die Epitaxie mit der neu eingeführten MOCVD*-Anlage durchgeführt, die jetzt für den Betrieb in der Massenproduktion vorbereitet wird.

Die neue AIX G5 HT-Plattform trumpft nicht nur mit der größten kommerziell verfügbaren Waferkapazität von 56x2-Zoll, 14x4-Zoll und 8x6-Zoll auf. Bahnbrechende Neuerungen beim Anlagendesign erlauben hohe Wachstumsraten und aufeinander folgende Produktionsläufe ohne Ausheizen des Reaktors oder Austauschen von Reaktorteilen. Verglichen mit Vorgänger-Systemen konnte der Durchsatz bei gleichzeitig hoher Qualität mehr als verdoppelt werden.

Die neue Anlage bildet damit die derzeitige Qualitätsspitze in puncto Prozessflexibilität und  -stabilität. Sie kann schneller in die Produktion überführt werden als jede andere Anlage und zeigt eine hervorragende Reproduzierbarkeit der Prozesse von Anlage zu Anlage. Der einfache Prozesstransfer ist einer der Schlüsselfaktoren im schnell wachsenden MOCVD-Markt, dem nur eine begrenzte Anzahl Prozessexperten zur Verfügung steht.

„AIXTRON hatte hoch gesteckte Entwicklungsziele für die neue Anlagen-Generation bei Unterzeichnung unserer Kooperationsvereinbarung", sagt Epistar-Vorstand Dr. Ming-Jiunn Jou. „Sie sind in einem bemerkenswerten Tempo umgesetzt worden. Mit den jetzt erreichten Homogenitätsgraden sind wir zuversichtlich, unseren Produktionsertrag mit diesem MOCVD-Reaktor erheblich steigern zu können." Man wolle nun „schnellstens mit dieser Anlage produzieren, um die neuen Vorteile auszuschöpfen."

Gerd Strauch, Vice President Corporate Product Design & Engineering, leitet beim Anlagenbauer AIXTRON die Planetary Reactor-Entwicklung: „In der Tat bin ich sehr zufrieden mit den schnellen Fortschritten bei Epistar. Sie zeigen, dass wir mit dem zielorientierten Design der neuen Reaktorkammer, unserer innovativen CFD**-Modellierung und der Anlagenqualifizierung in unserem Labor gute Arbeit geleistet haben. Es ist uns gelungen, die Epitaxiequalität aus unserem Labor 1:1 auf die Epistar-Anlage zu übertragen."

*MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition =
Metall-organische Gasphasenabscheidung
**CFD, Computational Fluid Dynamics =
Numerische Strömungsmechanik

Der Begriff  Planetary Reactor^®  ist ein eingetragenes Warenzeichen. 

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